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FETのデバイス実験


接合型FETのソース接地回路の静特性測定 の実験について記載。(2023/06/22)
ソース接地増幅回路(交流負帰還なし) の実験について記載。(2024/02/05)
ソース接地増幅回路(交流負帰還あり) の実験について記載。(2024/02/29)
ドレイン接地増幅回路 の実験について記載。(2024/05/03)

  1. 接合型FETのソース接地回路の静特性測定

    1. 実験の目的
    2. 接合型FETのソース接地回路の静特性を測定することで
      接合型FETの動作を確認するとともに、小信号等価回路の
      パラメータについて考察します。

    3. 実験課題
    4. 下記の項目について静特性の測定を行い、測定結果から等価回路のパラメータを
      求めます。
      測定するデバイスは、N-チャネルタイプの2SK2880-Dと、
      Pチャネルタイプの2SJ498-Dを用いて実施します。

    5. 実験回路
      1. 2SK2880-D


      2. 2SJ498-D


    6. 実験の詳細

    7. 実験の詳細はこちら。(2023/6/22)

  2. ソース接地増幅回路(交流負帰還なし)

    1. 実験の目的
    2. 最も簡単な増幅回路である接合型FET一石からなるソース接地増幅回路の
      実験を通じて、FETによる電圧増幅作用を確認します。
      実験にあたっては、小信号増幅を前提として、FETを線形な素子として
      近似して解析します。そして、この方法で求めた回路の増幅度と
      入出力インピーダンスが、実験から得られた測定値と一致することを確認し、
      回路設計の際に定量的な議論が出来るようにします。

    3. 実験課題
    4. 下記の項目について簡易測定を行い、設計値と測定値を比較します。

    5. 実験回路


    6. 実験の詳細

    7. 実験の詳細はこちら。(2024/02/05)


  3. ソース接地増幅回路(交流負帰還有り)

    1. 実験の目的
    2. 自己バイアスをかけたFET増幅器において、ソース抵抗(RS)に
      並列に接続するバイパス・コンデンサを無くすと、交流的に負帰還をかける
      ことが出来ます。ここでは、負帰還の量を変化させることにより、
      増幅回路の入力インピーダンス、出力インピーダンス、増幅度が
      どのように変化するかを実験で確認し、理論(設計値)と比較します。

    3. 実験回路


    4. 実験課題
    5. 下記の項目について簡易測定を行い、設計値と測定値を比較します。
      (1)直流動作点
      (2)電圧増幅度
      (3)出力インピーダンス
      (4)入力インピーダンス

    6. 実験回路
    7. 実験の詳細はこちら。(2024/02/29)

  4. ドレイン接地増幅回路

    1. 実験の目的
    2. ドレイン接地増幅回路(ソースフォロワー)を動作させ、
      回路の特徴であるインピーダンス変換作用について確認します。

    3. 実験回路


    4. 実験課題
    5. 下記の項目について簡易測定を行い、設計値と測定値を比較します。
      (1)直流動作点
      (2)電圧増幅度
      (3)出力インピーダンス
      (4)入力インピーダンス

    6. 実験の詳細
    7. 実験の詳細はこちら。(2024/05/03)

  5. ソース接地増幅回路(交流負帰還なし)(ステップアッテネータによる)

  6. ゲート接地増幅回路

    1. 実験の目的
    2. 実験課題
    3. 実験回路
    4. 実験の詳細(工事中)

  7. 定電流回路

  8. バワーMOS FET


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