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FETのデバイス実験
接合型FETのソース接地回路の静特性測定
の実験について記載。(2023/06/22)
ソース接地増幅回路(交流負帰還なし)
の実験について記載。(2024/02/05)
ソース接地増幅回路(交流負帰還あり)
の実験について記載。(2024/02/29)
ドレイン接地増幅回路
の実験について記載。(2024/05/03)
- 実験の目的
接合型FETのソース接地回路の静特性を測定することで
接合型FETの動作を確認するとともに、小信号等価回路の
パラメータについて考察します。
- 実験課題
下記の項目について静特性の測定を行い、測定結果から等価回路のパラメータを
求めます。
測定するデバイスは、N-チャネルタイプの2SK2880-Dと、
Pチャネルタイプの2SJ498-Dを用いて実施します。
- 実験回路
- 2SK2880-D
- 2SJ498-D
- 実験の詳細
実験の詳細はこちら。(2023/6/22)
- 実験の目的
最も簡単な増幅回路である接合型FET一石からなるソース接地増幅回路の
実験を通じて、FETによる電圧増幅作用を確認します。
実験にあたっては、小信号増幅を前提として、FETを線形な素子として
近似して解析します。そして、この方法で求めた回路の増幅度と
入出力インピーダンスが、実験から得られた測定値と一致することを確認し、
回路設計の際に定量的な議論が出来るようにします。
- 実験課題
下記の項目について簡易測定を行い、設計値と測定値を比較します。
(1)直流動作点
(2)電圧増幅度
(3)出力インピーダンス
(4)入力インピーダンス
- 実験回路
- 実験の詳細
実験の詳細はこちら。(2024/02/05)
- 実験の目的
自己バイアスをかけたFET増幅器において、ソース抵抗(RS)に
並列に接続するバイパス・コンデンサを無くすと、交流的に負帰還をかける
ことが出来ます。ここでは、負帰還の量を変化させることにより、
増幅回路の入力インピーダンス、出力インピーダンス、増幅度が
どのように変化するかを実験で確認し、理論(設計値)と比較します。
- 実験回路
- 実験課題
下記の項目について簡易測定を行い、設計値と測定値を比較します。
(1)直流動作点
(2)電圧増幅度
(3)出力インピーダンス
(4)入力インピーダンス
- 実験回路
実験の詳細はこちら。(2024/02/29)
- 実験の目的
ドレイン接地増幅回路(ソースフォロワー)を動作させ、
回路の特徴であるインピーダンス変換作用について確認します。
- 実験回路
- 実験課題
下記の項目について簡易測定を行い、設計値と測定値を比較します。
(1)直流動作点
(2)電圧増幅度
(3)出力インピーダンス
(4)入力インピーダンス
- 実験の詳細
実験の詳細はこちら。(2024/05/03)
ゲート接地増幅回路
- 実験の目的
- 実験課題
- 実験回路
- 実験の詳細(工事中)
定電流回路
バワーMOS FET
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